Fabrication D'un Oxyde Tunnel D'un Transistor De Memoire Non-Volatile En Technologie Flotox Par Pulverisation Par Faisceau D'ions A Basse Temperature

WO2006079742 Art A1 3. August 2006

Anmelder: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006079742
Aktenzeichen: EP06709432
Anmeldetag: 24. Januar 2006
Veröffentlichung: 3. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/441H01L21/84H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von