Thin film transistor and method for manufacture thereof, and thin film transistor substrate and method for manufacture thereof, and liquid crystal display device and organic el display device using said thin film transistor, and transparent electroconductive laminated substrate

WO2006080116 Art A1 3. August 2006

Anmelder: IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006080116
Aktenzeichen: EP05795900
Anmeldetag: 21. Oktober 2005
Veröffentlichung: 3. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/786G02F1/1368G09F9/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IDEMITSU KOSAN COMPANY LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von