Method of evaluating crystal defect of silicon single crystal wafer

WO2006080271 Art A1 3. August 2006

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006080271
Aktenzeichen: EP06712164
Anmeldetag: 23. Januar 2006
Veröffentlichung: 3. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/956H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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