Method for forming gan film, semiconductor device, method for forming group iii nitride thin film, and semiconductor device having group iii nitride thin film

WO2006080586 Art A1 3. August 2006

Anmelder: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006080586
Aktenzeichen: EP06713081
Anmeldetag: 31. Januar 2006
Veröffentlichung: 3. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C14/06C23C16/34C30B29/38H01L21/203

Offizieller Volltext

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Firmen: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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