Multi-gate fet with multi-layer channel

WO2006082247 Art A1 10. August 2006

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006082247
Aktenzeichen: EP06708038
Anmeldetag: 6. Februar 2006
Veröffentlichung: 10. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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