Substrate for crystal growing a nitride semiconductor

WO2006082467 Art A1 10. August 2006

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, PICOGIGA INTERNATIONAL 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006082467
Aktenzeichen: EP05708564
Anmeldetag: 1. Februar 2005
Veröffentlichung: 10. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C30B23/02C30B29/38C30B29/40H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
PICOGIGA INTERNATIONAL
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

323 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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