Method for applying a high temperature treatment to a semiconductor wafer
WO2006082469
Art A1
10. August 2006
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006082469
- Aktenzeichen
- EP05708607
- Anmeldetag
- 3. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 10. August 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/324H01L21/316H01L21/762C30B33/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.