Semiconductor device manufacturing method and plasma oxidation method

WO2006082730 Art A1 10. August 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006082730
Aktenzeichen: EP06712227
Anmeldetag: 24. Januar 2006
Veröffentlichung: 10. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/316H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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