Monolithic Integrated Circuit Having Enhanced Breakdown Voltage
WO2006083587
Art A2
10. August 2006
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006083587
- Aktenzeichen
- EP06719102
- Anmeldetag
- 20. Januar 2006
- Veröffentlichung
- 10. August 2006
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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