N2-based plasma treatment for porous low-k dielectric films

WO2006083769 Art A2 10. August 2006

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006083769
Aktenzeichen: EP06734057
Anmeldetag: 30. Januar 2006
Veröffentlichung: 10. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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