Semiconductor device with trench field plate

WO2006085267 Art A2 17. August 2006

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006085267
Aktenzeichen: EP06710847
Anmeldetag: 7. Februar 2006
Veröffentlichung: 17. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/41H01L29/423H01L29/06H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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