N-type transistor, production methods for n-type transistor and n-type transistor-use channel, and production method of nanotube structure exhibiting n-type semiconductor-like characteristics

WO2006085611 Art A1 17. August 2006

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006085611
Aktenzeichen: EP06713492
Anmeldetag: 10. Februar 2006
Veröffentlichung: 17. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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