Integrierte Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistor, insbesondere mit Tunnel-Feldeffekttransistor

WO2006087044 Art A1 24. August 2006

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006087044
Aktenzeichen: EP05818960
Anmeldetag: 9. Dezember 2005
Veröffentlichung: 24. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/8239

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von