Diamond Semiconductor Rectifier Element
WO2006087937
Art A1
24. August 2006
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006087937
- Aktenzeichen
- EP06713191
- Anmeldetag
- 7. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 24. August 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/47H01L29/872H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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