Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

WO2006087957 Art A1 24. August 2006

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006087957
Aktenzeichen: EP06713320
Anmeldetag: 8. Februar 2006
Veröffentlichung: 24. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L23/52H01L25/065H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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