Method for producing hexagonal boron nitride single crystal and hexagonal boron nitride single crystal
WO2006087982
Art A1
24. August 2006
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Mori, Yusuke 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006087982
- Aktenzeichen
- EP06713550
- Anmeldetag
- 7. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 24. August 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B9/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
Mori, Yusuke - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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