Method for forming organosilicon film, semiconductor device having such organosilicon film and method for manufacturing same

WO2006088015 Art A1 24. August 2006

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006088015
Aktenzeichen: EP06713666
Anmeldetag: 14. Februar 2006
Veröffentlichung: 24. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312C07F7/08H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Organische Chemie

Vertreten von