Method for forming ingan layer and semiconductor device

WO2006088261 Art A1 24. August 2006

Anmelder: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006088261
Aktenzeichen: EP06714668
Anmeldetag: 21. Februar 2006
Veröffentlichung: 24. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38H01L21/203

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Firmen: KANAGAWA ACADEMY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
The University of Tokyo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 University of Tokyo

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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