Nonvolatile flash memory device and method for producing dielectric oxide nanodots on silicon dioxide

WO2006088430 Art A1 24. August 2006

Anmelder: The National University of Singapore 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006088430
Aktenzeichen: EP05711204
Anmeldetag: 17. Februar 2005
Veröffentlichung: 24. August 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The National University of Singapore
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

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