Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry
WO2006088561
Art A2
24. August 2006
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006088561
- Aktenzeichen
- EP05855900
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2005
- Veröffentlichung
- 24. August 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/42B08B7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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