Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
WO2006092117
Art A1
8. September 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006092117
- Aktenzeichen
- EP06705991
- Anmeldetag
- 20. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 8. September 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/29H01L23/31H01L23/498H01L21/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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