Method for manufacturing multilayer epitaxial silicon single crystal wafer, and multilayer epitaxial silicon single crystal wafer
WO2006092932
Art A1
8. September 2006
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006092932
- Aktenzeichen
- EP06713163
- Anmeldetag
- 7. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 8. September 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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