Polycrystalline silicon substrate, polycrystalline silicon ingot, methods for producing those, photoelectric converter and photoelectric conversion module

WO2006093099 Art A1 8. September 2006

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006093099
Aktenzeichen
EP06714775
Anmeldetag
27. Februar 2006
Veröffentlichung
8. September 2006
Rechtsraum
WO
IPC
H01L31/028C01B33/037
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kyocera Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

6.341 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen