Metal double layer structure and method for manufacturing the same and regeneration method of sputtering target employing that method

WO2006093125 Art A1 8. September 2006

Anmelder: Nippon Light Metal, Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006093125
Aktenzeichen
EP06714841
Anmeldetag
28. Februar 2006
Veröffentlichung
8. September 2006
Rechtsraum
WO
IPC
C23C14/34B23K20/12
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nippon Light Metal, Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nippon Light Metal

Nippon Light Metal ist ein japanischer Hersteller von Aluminiumprodukten. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Werkzeug-, Fertigungs- und Drucktechnik sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Halbleiterbauelemente. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

521 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen