Thin-film device comprising an oxide semiconductor and method of selective annealing a blanket coated oxide semiconductor layer

WO2006094241 Art A2 8. September 2006

Anmelder: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006094241
Aktenzeichen: EP06748290
Anmeldetag: 2. März 2006
Veröffentlichung: 8. September 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/428H01L29/786H01L21/20H01L21/477

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Hewlett-Packard

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien. Aktiv in Computerhardware, Druckern, Speicherlösungen sowie Unternehmens-IT und Cloud-Infrastruktur.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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