Element substrate, inspecting method, and manufacturing method of semiconductor device

WO2006095791 Art A1 14. September 2006

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006095791
Aktenzeichen: EP06728788
Anmeldetag: 2. März 2006
Veröffentlichung: 14. September 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/308H01L21/822H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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