Mosfet with temperature sense facility
WO2006097896
Art A1
21. September 2006
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006097896
- Aktenzeichen
- EP06711094
- Anmeldetag
- 14. März 2006
- Veröffentlichung
- 21. September 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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