Method of forming a semiconductor device having a diffusion barrier stack and structure thereof

WO2006098820 Art A2 21. September 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Garcia, Sam S. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006098820
Aktenzeichen: EP06734158
Anmeldetag: 1. Februar 2006
Veröffentlichung: 21. September 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/4763

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor
Garcia, Sam S.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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