Plasma oxidation and removal of oxidized material

WO2006098888 Art A2 21. September 2006

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006098888
Aktenzeichen: EP06736682
Anmeldetag: 27. Februar 2006
Veröffentlichung: 21. September 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/461

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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