Nonvolatile Memory Element

WO2006101151 Art A1 28. September 2006

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006101151
Aktenzeichen
EP06729742
Anmeldetag
23. März 2006
Veröffentlichung
28. September 2006
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/10G11C13/00H01L49/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen