A plasma enhanced atomic layer deposition system and method
WO2006101886
Art A2
28. September 2006
Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006101886
- Aktenzeichen
- EP06748387
- Anmeldetag
- 15. März 2006
- Veröffentlichung
- 28. September 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05H1/24B05C11/00C23C16/00H01L23/58
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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