Semiconductor wafer with low-k dielectric layer and process for fabrication thereof

WO2006102926 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006102926
Aktenzeichen: EP05738365
Anmeldetag: 31. März 2005
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/26H01L21/312H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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