Semiconductor device using titanium dioxide as active layer and method for manufacturing same

WO2006103853 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006103853
Aktenzeichen: EP06714414
Anmeldetag: 23. Februar 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12H01L29/786

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Agency
TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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