Substrate for growing gallium nitride and method for producing same

WO2006104064 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006104064
Aktenzeichen: EP06730015
Anmeldetag: 20. März 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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