Polycrystalline silicon substrate, method for producing same, polycrystalline silicon ingot, photoelectric converter and photoelectric conversion module
WO2006104107
Art A1
5. Oktober 2006
Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006104107
- Aktenzeichen
- EP06730126
- Anmeldetag
- 27. März 2006
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/028C01B33/037
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyocera Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyocera
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.
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