Mask pattern designing method using optical proximity correction in optical lithography, designing device, and semiconductor device manufacturing method using the same

WO2006104244 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006104244
Aktenzeichen: EP06730970
Anmeldetag: 28. März 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/08G06F17/50H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Software & Datenverarbeitung

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