Dual metal gate electrode semiconductor fabrication process and structure thereof

WO2006104549 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006104549
Aktenzeichen: EP06719489
Anmeldetag: 25. Januar 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/336H01L21/461H01L21/8238H01L27/01H01L27/12H01L29/76H01L29/94H01L31/062H01L31/119H01L31/0392H01L31/113

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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