Method and system for increasing tensile stress in a thin film using collimated electromagnetic radiation

WO2006104582 Art A2 5. Oktober 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006104582
Aktenzeichen: EP06735198
Anmeldetag: 16. Februar 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/58C23C16/50H01L21/4757

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von