Method and system for increasing tensile stress in a thin film using multi-frequency electromagnetic radiation
WO2006104583
Art A2
5. Oktober 2006
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006104583
- Aktenzeichen
- EP06735212
- Anmeldetag
- 16. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B29C65/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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