Method and system for increasing tensile stress in a thin film using multi-frequency electromagnetic radiation

WO2006104583 Art A2 5. Oktober 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2006104583
Aktenzeichen
EP06735212
Anmeldetag
16. Februar 2006
Veröffentlichung
5. Oktober 2006
Rechtsraum
WO
IPC
B29C65/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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