Low-temperature chemical vapor deposition of low-resistivity ruthenium layers

WO2006104853 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006104853
Aktenzeichen: EP06758182
Anmeldetag: 23. März 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/532C23C16/16C23C16/448

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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