Method of fabricating silicon nitride regions in silicon carbide and resulting structure

WO2006105494 Art A1 5. Oktober 2006

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006105494
Aktenzeichen: EP06749178
Anmeldetag: 30. März 2006
Veröffentlichung: 5. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/318H01L21/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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