Halbleitersensorbauteil mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip sowie Verfahren zur Herstellung Desselben
WO2006105759
Art A1
12. Oktober 2006
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006105759
- Aktenzeichen
- EP06722692
- Anmeldetag
- 27. März 2006
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/053H01L23/055H01L23/29H01L23/31H05K3/10H05K3/18G01C19/56G01D11/24G01F1/684G01L9/00G01P15/00G01P15/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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