Si-doped gaas single crystal ingot and process for producing the same, and si-doped gaas single crystal wafer produced from said si-doped gaas single crystal ingot

WO2006106644 Art A1 12. Oktober 2006

Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006106644
Aktenzeichen: EP06730163
Anmeldetag: 28. März 2006
Veröffentlichung: 12. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/42C30B15/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 DOWA Electronics Materials

DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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