Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device

WO2006106667 Art A1 12. Oktober 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006106667
Aktenzeichen: EP06730236
Anmeldetag: 28. März 2006
Veröffentlichung: 12. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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