Semiconductor device manufacturing method, substrate manufacturing method and substrate treating apparatus
WO2006106859
Art A1
12. Oktober 2006
Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006106859
- Aktenzeichen
- EP06730670
- Anmeldetag
- 30. März 2006
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/31H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Kokusai Electric Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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