Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently
WO2006107416
Art A2
12. Oktober 2006
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, International Business Machines Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2006107416
- Aktenzeichen
- EP06735199
- Anmeldetag
- 16. Februar 2006
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2006
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B01J19/08H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
International Business Machines Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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