Method and system for forming a high-k dielectric layer

WO2006107417 Art A2 12. Oktober 2006

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006107417
Aktenzeichen: EP06735211
Anmeldetag: 16. Februar 2006
Veröffentlichung: 12. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/469

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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