Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

WO2006107797 Art A2 12. Oktober 2006

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006107797
Aktenzeichen: EP06749101
Anmeldetag: 31. März 2006
Veröffentlichung: 12. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/317H01J37/304

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

690 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von