Trenched-gate field effect transistors and methods of forming the same

WO2006108011 Art A2 12. Oktober 2006

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006108011
Aktenzeichen: EP06749292
Anmeldetag: 4. April 2006
Veröffentlichung: 12. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/94H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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