Lateral Bipolar Transistor

WO2006109221 Art A2 19. Oktober 2006

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2006109221
Aktenzeichen: EP06744847
Anmeldetag: 5. April 2006
Veröffentlichung: 19. Oktober 2006
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von